常州瀚镓半导体申请InP基半导体激光器芯片的腔面镀膜专利，有效避免高温导致的激光器芯片电极退化
金融界2025年3月20日消息，国家知识产权局信息显示，常州瀚镓半导体有限公司申请一项名为“一种InP基半导体激光器芯片的腔面镀膜结构和方法”的专利，公开号CN119640215A，申请日期为2025年2月。
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专利摘要显示，本发明涉及半导体激光器芯片的腔面镀膜技术领域，尤其涉及一种InP基半导体激光器芯片的腔面镀膜结构和方法，包括S001、对半导体激光器芯片解理成巴条，然后用专门夹具固定好转入到电子回旋共振镀膜设备中抽真空；S002、开启自动清洗镀膜程序待真空抽至要求值时电子回旋共振离子源自动对芯片的腔面进行等离子体预清洗处理；S003、镀完第一层保护膜Si层后，将激光器芯片夹具转入到电子束蒸发镀膜设备平台继续抽真空；本发明提供的半导体激光器芯片腔面镀膜方法，利用电子回旋技术对半导体激光器进行清洗，利用电子束蒸发镀膜设备蒸镀高增透膜和高反射率膜，整个镀膜过程中无需高温加热，可有效避免高温导致的激光器芯片电极退化，效率降低等问题。
天眼查资料显示，常州瀚镓半导体有限公司，成立于2020年，位于常州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4532.81万人民币，实缴资本1308.86万人民币。通过天眼查大数据分析，常州瀚镓半导体有限公司专利信息6条，此外企业还拥有行政许可6个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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