光晋科技申请用于HJT型异质结电池制造的PECVD设备零部件致密性本色阳极氧化层相关专利，解决封孔等多项问题
金融界2025年3月17日消息，国家知识产权局信息显示，光晋科技（合肥）有限公司申请一项名为“一种应用于HJT型异质结电池制造的PECVD设备零部件的致密性本色阳极氧化层的制备方法”的专利，公开号CN119615323A，申请日期为2024年12月。
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专利摘要显示，本申请涉及电池氧化层制备技术领域，且公开了一种应用于HJT型异质结电池制造的PECVD设备零部件的致密性本色阳极氧化层的制备方法，本方案以下所述的步骤：步骤一：脱脂、脱脂后水洗；步骤二：碱洗、碱洗后水洗；步骤三：硝酸抛光、抛光后水洗；步骤四：混酸抛光；步骤五：抛光、抛光后水洗；步骤六：漂洗浸泡；步骤七：阳极氧化、阳极氧化后水洗；步骤八：封孔、去遮蔽；步骤九：检查工件，本申请中解决杂质问题导致的氧化膜暗淡无光的问题；解决阳极多孔性结构因电场控制问题的多孔结构不均匀，孔径大、孔隙率高的问题；解决封孔过程产生的封孔灰问题，解决Ca、Zn、K、Na、Mg元素污染问题。
天眼查资料显示，光晋科技（合肥）有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本11100万人民币，实缴资本11100万人民币。通过天眼查大数据分析，光晋科技（合肥）有限公司参与招投标项目3次，专利信息20条，此外企业还拥有行政许可12个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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